Plano Departamental

1. Introdução à Eletrônica
Revisão de conceitos de circuitos lineares e sinais. Notações e definições (ganho, etc.).
Amplificador de tensão ideal. Limitações de amplificadores reais (saturação, polarização).
Modelos lineares de amplificadores (tensão, corrente, transcondutância, transresistência).
Introdução à resposta em frequência. Redes de constante de tempo simples. Introdução à
simulação de circuitos eletrônicos em SPICE.
2. Amplificadores Operacionais
Amplificador operacional ideal. Realimentação negativa em amplificadores operacionais.
Técnicas de análise idealizada. Configurações e aplicações lineares básicas (não inversora,
inversora, buffer, somador, diferencial, etc.). Configurações e aplicações lineares avançadas
(instrumentação, inversor mod., integrador/diferenciador, filtros, etc.). Amplificador
operacional real. Análise considerando não idealidades (ganho finito, resp. frequência, slew
rate, imperfeições CC.). Simulação de amplificadores operacionais em SPICE. Aplicações
não lineares como comparador (com e sem histerese). Práticas laboratoriais de aplicações
lineares e não-lineares de amplificadores operacionais.
3. Semicondutores e Diodos
Introdução à física de estado sólido. Conceitos básicos de semicondutores. Junção PN.
Diodos de junção PN. Construção de diodos. Polarização da junção PN. Diodo ideal e análise
de circuitos idealizados. Diodo real. Modelos matemáticos de diodos (exponencial, linear por
partes, tensão constante). Simulação de diodos em SPICE. Aplicação de diodos em
retificadores e fontes de alimentação. Tipos de retificadores (meia-onda, tap central, ponte, c/
e s/ filtro capacitivo). Diodo zener. Reguladores de tensão tipo shunt. Outros tipos de diodos.
Outros circuitos empregando diodos. Práticas laboratoriais de aplicações de diodos.
4. Transistores TBJ e MOSFET
Construção e funcionamento de transistores bipolares de junção (TBJs). Modelos
matemáticos de grandes sinais de TBJs. Gráficos típicos de TBJs. Construção e
funcionamento de transistores de efeito campo de metal óxido semicondutor (MOSFETs).
Modelos matemáticos de grandes sinais de MOSFETs. Gráficos típicos de MOSFETs.Análise
de circuitos com TBJs e MOSFETs em regime c.c. (grandes sinais). Não idealidades, efeitos
Early (TBJs) e de modulação do canal (MOSFETs). Simulação de TBJs e MOSFETs em
SPICE. Análise gráfica de ponto de operação de TBJs e MOSFETs. Esquemas de
polarização de transistores. TBJs e MOSFETs operando como interruptores estáticos. TBJs
e MOSFETs operando como amplificadores de grandes sinais.
Transcondutância. Circuitos lógicos transistorizados. Práticas laboratoriais de aplicações de
transistores.

[1] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C.; CARUSONE, Tony C., GAUDET, Vincent.
Circuitos Microeletrônicos. 8. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2023
[2] BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos”,
11ª ed., 2013.
[3] RAZAVI, Behzad “Fundamentos de Microeletrônica”, 2ª ed., LTC, 2017.

Não informado

[1] MALVINO, Albert; BATES, David “Eletrônica”, Vols. 1 & 2, 8ª ed., AMGH Editora, 2016.
[2] MALVINO, A.; BATES, D. “Eletrônica: Diodos, Transistores e Amplificadores”, 7ª ed., 2011.
[3] HOROWITZ, P.; WINFIELD, H. “A Arte da Eletrônica”, 3ª ed., 2017.