Plano Departamental

1. Revisão de conceitos de circuitos lineares e sinais. Notações e definições (ganho, etc.). Amplificador de tensão ideal. Limitações de amplificadores reais (saturação, polarização). Modelos lineares de amplificadores (tensão, corrente, transcondutância, transresistência). Introdução à resposta em frequência. Redes de constante de tempo simples. Introdução à simulação de circuitos eletrônicos em SPICE.
2. Amplificador operacional ideal. Realimentação negativa em amplificadores operacionais. Técnicas de análise idealizada. Configurações e aplicações lineares básicas (não inversora, inversora, buffer, somador, diferencial, etc.). Configurações e aplicações lineares avançadas (instrumentação, inversor mod., integrador/diferenciador, filtros, etc.). Amplificador operacional real. Análise considerando não idealidades (ganho finito, resp. frequência, slew rate, imperfeições c.c.). Simulação de amplificadores operacionais em SPICE (modelo semi-ideal, modelos reais e comerciais). Aplicações não lineares como comparador (com e sem histerese).
3. Introdução à física de estado sólido. Conceitos básicos de semicondutores. Junção PN. Diodos de junção PN. Construção de diodos. Polarização da junção PN. Diodo ideal e análise de circuitos idealizados. Diodo real. Modelos matemáticos de diodos (exponencial, linear por partes, tensão constante). Introdução aos conceitos de análise iterativa e de modelo de pequenos sinais. Simulação de diodos em SPICE (modelo ideal, modelos reais e comerciais). Aplicação de diodos em retificadores e fontes de alimentação. Tipos de retificadores (meia-onda, tap central, ponte, c/ e s/ filtro capacitivo). Diodo zener. Reguladores de tensão tipo shunt. Outros tipos de diodos. Outros circuitos empregando diodos.
4. Construção e funcionamento de transistores bipolares de junção (TBJs). Modelos matemáticos de grandes sinais de TBJs. Gráficos típicos de TBJs. Construção e funcionamento de transistores de efeito campo de metal óxido-semicondutor (MOSEFTs). Modelos matemáticos de grandes sinais de MOSFETs. Gráficos típicos de MOSFETs. Análise de circuitos com TBJs e MOSFETs em regime c.c. (grandes sinais). Não idealidades, efeitos Early (TBJs) e de modulação do canal (MOSFETs). Simulação de TBJs e MOSFETs em SPICE (modelos parametrizados e comerciais). Análise gráfica de ponto de operação de TBJs e MOSFETs (regiões linear, saturação/triodo). Aplicações em c.c. (espelhos de corrente, saturação do TBJ). Esquemas de polarização de transistores. TBJs e MOSFETs operando como interruptores estáticos (saturação/triodo). Inversor lógico transistorizado. Modelos lineares de pequenos sinais para TBJs e MOSFETs. Transcondutância. Amplificadores discretos a TBJ e MOSFET. Análise em pequenos sinais. Caracterização de amplificadores como blocos funcionais. Topologias de amplificadores discretos transistorizados de único estágio. Aplicações típicas de amplificadores transistorizados.

[1] RAZAVI, Behzad “Fundamentos de Microeletrônica”, 2ª ed., LTC, 2017 [Repositório da UFJF]. [2] MALVINO, Albert; BATES, David “Eletrônica”, Vols. 1 & 2, 8ª ed., AMGH Editora, 2016 [Repositório da UFJF].

Não informado

SEDRA, A.; SMITH, K. “Microeletrônica”, 5ª ed., 2007.
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos”, 11ª ed., 2013. MALVINO, A.; BATES, D. “Eletrônica: Diodos, Transistores e Amplificadores”, 7ª ed., 2011. HOROWITZ, P.; WINFIELD, H. “A Arte da Eletrônica”, 3ª ed., 2017.